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先進(jìn)的薄膜材料，ULVAC的半導(dǎo)體用靶材，以
?低particle
?均勻的薄膜厚度分布
?使用效率高
作為品質(zhì)目標(biāo)，對(duì)每種材料研討制造方法，進(jìn)而開(kāi)發(fā)制造的高品質(zhì)濺射靶。

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若想了解更多請(qǐng)致電182-2185-4021

產(chǎn)品特性 / Product characteristics
• 采用最合適制造方法的濺射靶

ULVAC為了滿足半導(dǎo)體工藝所需的各種要求，采用合適的制造方法，進(jìn)行靶材的開(kāi)發(fā)和制造。

• 抑制particle發(fā)生的濺射靶

濺射中發(fā)生問(wèn)題，ULVAC開(kāi)發(fā)了抑制particle發(fā)生的濺射靶。特別是，根據(jù)在Al靶的精煉和鑄造過(guò)程中采用的真空溶解法，我們正在努力減少氧氣等氣體成分，因?yàn)檫@是particle產(chǎn)生的原因之一。

• 通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)調(diào)整實(shí)現(xiàn)高均勻性

ULVAC的高純度鈷靶和鈦靶開(kāi)始，大多數(shù)半導(dǎo)體靶材采用的制造工藝，注重精細(xì)和均質(zhì)化的冶金結(jié)構(gòu)。比如，在高純度鈷靶中，通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)的精細(xì)和均勻化，使靶材表面上的漏磁通量偏差最小化。

• 完全的品質(zhì)管體體制

我們ULVAC考慮對(duì)產(chǎn)品的特性和形狀，貫徹始終地進(jìn)行制造。

• 通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)調(diào)整實(shí)現(xiàn)高均勻性
產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application
鎢靶的GDMS分析結(jié)果

半導(dǎo)體設(shè)備用的濺射靶材

主要300mmWafer用靶材
產(chǎn)品參數(shù) / Product parameters

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